Neuer Halbleiter ist mit Schaltschicht ummantelt und dadurch reaktionsschneller und effizienter.
Intel stellte nun seit mehr als einem Jahrzehnt eine neue Transistor-Architektur vor. Die Technologie mit der Bezeichnung "20A" (Symbolbild) hat zwei Besonderheiten: Zum einen ist der Halbleiter rundum mit der Schaltschicht ummantelt, was die Transistoren im Chip reaktionsschneller und effizienter machen soll. Zum anderem gelang es Intel nach eigenen Angaben zum ersten Mal, die Transistoren von der Rückseite mit Strom zu versorgen. Das senkt die Komplexität beim Verlegen der Leitungen zwischen den Transistoren, die sich bisher den Platz mit der Stromzufuhr teilen müssen.
Intel strebt Technologieführerschaft an
Mit den Innovationen will Intel zum Jahr 2025 wieder führend in der Chipfertigung werden. Aktuell gelten nach diversen Rückschlägen beim Branchenprimus die Auftragsfertiger TSMC und Samsung technologisch vorn. Intel tat sich zuletzt beim Produktionsprozess für Chips mit Strukturbreiten von 7 Nanometern schwer. Je kleiner die Strukturbreite, desto mehr Transistoren passen auf eine Halbleiterscheibe. Intels 7-Nanometer-Chips rutschten nach Verzögerungen auf das Jahr 2023, während der Erzrivale AMD bereits Produkte in dieser Strukturbreite im Angebot hat.
Weg von Nanometer-Angaben
Intel argumentiert nun allerdings, dass die in der Branche verwendeten Nanometer-Angaben nur noch einen ungefähren Bezug zur Realität hätten. Deshalb lässt der Konzern sie fallen und führt eine neue Namensgebung ein. So wird die bisherige 7-Nanometer-Technologie künftig unter der Bezeichnung Intel 4 geführt. Und der bisherige verbesserte 10-Nanometer-Chip als Intel 7. Das neue Namenssystem soll auch die Einschätzung einiger Experten widerspiegeln, dass Intels Prozessoren effizienter als Konkurrenz-Chips mit ähnlichen Strukturbreiten seien.
